[1] R. Nagarajan, M. Ishikawa, T. Fukushima, R. S. Geels, J. E. Bowers. IEEE J. Quantum Electron., 28, 1990(1992).

[2] J. Nagle, S. Hersee, M. Krakowski, T. Weil, C. Weisbuch. Appl. Phys. Lett., 49, 1325(1986).

[3] M. Feng, N. Holonyak, H. W. Then, G. Walter. Appl. Phys. Lett., 91, 053501(2007).

[4] W. Liu. Fundamentals of III-V Devices: HBTs, MESFETs, and FETs/HEMTs(1999).

[5] J. H. Joe, M. Missous. IEEE Trans. Electron Devices, 52, 1693(2005).

[6] L. A. Coldren, S. W. Corzine. Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits(1995).

[7] B. Faraji, W. Shi, D. L. Pulfrey, L. Chrostowski. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 15, 594(2009).

[8] B. Faraji, D. L. Pulfrey, L. Chrostowski. Appl. Phys. Lett., 93, 103509-1(2008).

[9] I. Taghavi, H. Kaatuzian, J. P. Leburton. IEEE J. Quantum Electron., 49, 426(2013).

[10] I. Taghavi, H. Kaatuzian, J. P. Leburton. Semicond. Sci. Technol., 28, 025022-1(2013).

[11] R. Basu, B. Mukhopadhyay, P. K. Basu. Semicond. Sci. Technol. 26, 26, 105014(2011).

[12] S. Herbert. J. Appl. Phys., 80, 3844(1996).

[13] H. Kaatuzian, S. Taghavi. Chin. Opt. Lett., 7, 435(2009).

[14] S. Morin, B. Deveaud, F. Clerot, K. Fujiwara, K. Mitsunaga. IEEE J. Quantum Electron., 27, 21(1991).

[15] M. Feng, H. W. Then, N. Holonyak, G. Walter, A. James. Appl. Phys. Lett., 95, 033509(2009).