Effectiveness of inserting an InGaN interlayer to improve the performances of InGaN-based blue-violet laser diodes

Xiang Li; Degang Zhao

doi:10.3788/COL201614.062502

[1] L. C. Le, D. G. Zhao, D. S. Jiang, P. Chen, Z. S. Liu, J. Yang, X. G. He, X. J. Li, J. P. Liu, J. P. Liu, J. J. Zhu, S. M. Zhang, H. Yang. Opt. Express, 22, 10(2014).

[2] H. Lü, Y. Lü, Q. Wang, J. Li, Z. Feng, X. Xu, Z. Ji. Chin. Opt. Lett., 14, 042302(2016).

[3] L. Naixin, W. Junxi, Y. Jianchang, L. Zhe, R. Jun, L. Jinmin. J. Semicond., 30, 113003(2009).

[4] J. S. Kang, J.-A. Yoon, S. Il Yoo, J. W. Kim, B. M. Lee, H. H. Yu, C.-B. Moon, W. Y. Kim. Chin. Opt. Lett., 13, 032301(2015).

[5] L. Deyao, H. Yongzhen, Z. Shuming, C. Ming, Y. Xiaojun, Z. Jianjun, Z. Degang, C. Lianghui, Y. Hui, L. Junwu. J. Semicond., 27, 499(2006).

[6] F. Binglei, L. Naixin, L. Zhe, L. Jinmin, W. Junxi. J. Semicond., 35, 114007(2014).

[7] X. Ji, T. Wei, F. Yang, H. Lu, X. Wei, P. Ma, X. Yi, J. Wang, Y. Zeng, G. Wang, J. Li. Opt. Express, 22, A1001(2014).

[8] Y.-K. Kuo, J.-Y. Chang, M.-C. Tsai. Opt. Lett., 35, 3285(2010).

[9] S.-H. Han, D.-Y. Lee, S.-J. Lee, C.-Y. Cho, M.-K. Kwon, S. P. Lee, D. Y. Noh, D.-J. Kim, Y. C. Kim, S.-J. Park. Appl. Phys. Lett., 94, 231123(2009).

[10] S.-N. Lee, S. Y. Cho, H. Y. Ryu, J. K. Son, H. S. Paek, T. Sakong, T. Jang, K. K. Choi, K. H. Ha, M. H. Yang, O. H. Nam, Y. Park, E. Yoon. Appl. Phys. Lett., 88, 111101(2006).

[11] L. Na, Y. Xiaoyan, L. Meng, G. Enqing, F. Xiangxu, S. Zhao, J. Xiaoli, W. Xuecheng, L. Hongxi, L. Zhiqiang, Z. Ning, W. Junxi, L. Jinmin. J. Semicond., 35, 024010(2014).

[12] S. Choi, M.-H. Ji, J. Kim, H. J. Kim, M. Satter, P. D. Yoder, J.-H. Ryou, R. D. Dupuis, A. M. Fischer, F. A. Ponce. Appl. Phys. Lett., 101, 161110(2012).

[13] N. Zhang, Z. Liu, T. Wei, L. Zhang, X. Wei, X. Wang, H. Lu, J. Li, J. Wang. Appl. Phys. Lett., 100, 053504(2012).

[14] Z. Zheng, Z. Chen, Y. Chen, H. Wu, S. Huang, B. Fan, Z. Wu, G. Wang, H. Jiang. Appl. Phys. Lett., 102, 241108(2013).

[15] W. Yang, D. Li, N. Liu, Z. Chen, L. Wang, L. Liu, L. Li, C. Wan, W. Chen, X. Hu, W. Du. Appl. Phys. Lett., 100, 031105(2012).

[16] L. Yan, L. Zhiqiang, H. Miao, Y. Xiaoyan, W. Junxi, L. Jinmin, Z. Shuwen, L. Shuti. J. Semicond., 36, 054006(2015).

[17] V. Fiorentini, F. Bernardini, O. Ambacher. Appl. Phys. Lett., 80, 1204(2002).

[18] M.-X. Feng, J.-P. Liu, S.-M. Zhang, D.-S. Jiang, Z.-C. Li, D.-Y. Li, L.-Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, H. Yang. IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron., 19, 1500705(2013).

[19] M. X. Feng, J. P. Liu, S. M. Zhang, D. S. Jiang, Z. C. Li, K. Zhou, D. Y. Li, L. Q. Zhang, F. Wang, H. Wang, P. Chen, Z. S. Liu, D. G. Zhao, Q. Sun, H. Yang. Appl. Phys. Lett., 103, 043508(2013).

[20] C.-Y. Huang, Y.-D. Lin, A. Tyagi, A. Chakraborty, H. Ohta, J. S. Speck, S. P. DenBaars, S. Nakamura. J. Appl. Phys., 107, 023101(2010).

[21] L. Le, D. Zhao, D. Jiang, P. Chen, Z. Liu, J. Zhu, J. Yang, X. Li, X. He, J. Liu, S. Zhang, H. Yang. J. Vac. Sci. Technol. B, 33, 011209(2015).

[22] Z.-H. Zhang, S. T. Tan, Z. Kyaw, Y. Ji, W. Liu, Z. Ju, N. Hasanov, X. W. Sun, H. V. Demir. Appl. Phys. Lett., 102, 193508(2013).

Data from CrossRef

[1] Yuhui Chen, Daiyi Jiang, Chunmiao Zeng, Chuanxiong Xu, Haoran Sun, Yufei Hou, Mei Zhou.