[1] M. Razeghi, Proc. IEEE 90, 1006 (2002).

[2] H. Jiang and T. Egawa, Appl. Phys. Lett. 90, 121121 (2007).

[3] J. Y. Duboz, N. Grandjean, F. Omnes, M. Mosca, and J. L. -Reverchon, Appl. Phys. Lett. 86, 063511 (2005).

[4] Y. Zhang, S. C. Shen, H. J. Kim, S. Choi, J. H. Ryou, R. D. Dupuis, and B. Narayan, Appl. Phys. Lett. 94, 221109 (2009).

[5] F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, X. Q. Xiu, H. Zhao, R. Zhang, and Y. D. Zheng, IEEE Electron. Device Lett. 32, 1260 (2011).

[6] T. Tut, T. Yelboga, E. Ulker, and E. Ozbay, Appl. Phys. Lett. 92, 103502 (2008).

[7] J. K. Sheu, M. L. Lee, C. J. Tun, and S. W. Lin, Appl. Phys. Lett. 88, 043506 (2006).

[8] Y. Z. Chiou, Y. G. Lin, and T. K. Ko, Semicond. Sci. Technol. 24, 055004 (2009).

[9] D. S. Wuu, W. K. Wang, W. C. Shih, R. H. Horng, C. E. Lee, W. Y. Lin, and J. S. Fang, IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 288 (2005).

[10] S. J. Chang, Y. D. Jhou, Y. C. Lin, S. L. Wu, C. H. Chen, T. C. Wen, and L. W. Wu, IEEE Photon. Technol. Lett. 20, 1866 (2008).

[11] G. S. Wang, H. Lu, D. J Chen, F. F. Ren, R. Zhang, and Y. D. Zheng, IEEE Photon. Technol. Lett. 25, 652 (2013).

[12] B. Heying, X. H. Wu, S. Keller, Y. Li, D. Kapolnek, B. P. Keller, S. P. DenBaar, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 68, 643 (1996).

[13] D. W. Yan, H. Lu, D. J. Chen, R. Zhang, and Y. D. Zheng, Appl. Phys. Lett. 96, 083504 (2010).

[14] J. C. Lin, Y. K. Su, S. J. Chang, W. H. Lan, W. R. Chen, K. C. Huang, Y. C. Cheng, and W. J. Lin, IEEE Photon. Technol. Lett. 20, 1255 (2008).

[15] T. Li, D. J. H. Lambert, M. M. Wong, C. J. Collins, B. Yang, A. L. Beck, U. Chowdhury, R. D. Durpuis, and J. C. Campbell, Opt. Quant. Electron. 37, 538 (2001).

[16] D. V. Kuksenkov, H. Temkin, A. Osinsky, R. Gaska and M. A. Khan, J. Appl. Phys. 83, 2142 (1998).

[17] J. L. Hou, S. J. Chang, M. C. Chen, C. H. Liu, T. J. Hsueh, J. K. Sheu, and S. G. Li, IEEE Trans. Electron. Devices 60, 1178 (2013).