[1] F. A. Kish, D. Welch, R. Nagarajan, J. L. Pleumeekers, V. Lal, M. Ziari, A. Nilsson, M. Kato, S. Murthy, P. Evans, S. W. Corzine, M. Mitchell, P. Samra, M. Missey, S. DeMars, R. P. Schneider, M. S. Reffle, T. Butrie, J. T. Rahn, M. Van Leeuwen, J. W. Stewart, D. J. H. Lambert, R. C. Muthiah, H.-S. Tsai, J. S. Bostak, A. Dentai, K.-T. Wu, H. Sun, D. J. Pavinski, J. Zhang, J. Tang, J. McNicol, M. Kuntz, V. Dominic, B. D. Taylor, R. A. Salvatore, M. Fisher, A. Spannagel, E. Strzelecka, P. Studenkov, M. Raburn, W. Williams, D. Christini, K. J. Thomson, S. S. Agashe, R. Malendevich, G. Goldfarb, S. Melle, C. Joyner, M. Kaufman, S. G. Grubb. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 17, 1470.

[2] Z. Zhao, Y. Liu, Z. Zhang, X. Chen, J. Liu, N. Zhu. Chin. Opt. Lett., 14, 120603(2016).

[3] Y. Yoshikuni. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 8, 1102(2002).

[4] P. Pan, J. M. An, Y. Wang, J. S. Zhang, L. L. Wang, Y. Qi, Q. Han, X. W. Hu. Opt. Laser Technol., 75, 177(2015).

[5] L. A. Coldren, S. C. Nicholes, L. Johansson, S. Ristic, R. S. Guzzon, E. J. Norberg, U. Krishnamachari. J. Lightwave Technol., 29, 554(2011).

[6] K. A. Williams, E. A. J. M. Bente, D. Heiss, Y. Jiao, K. Lawniczuk, X. J. M. Leijtens, J. J. G. M. van der Tol, M. K. Smit. Photon. Res., 3, B60(2015).

[7] L. Han, S. Liang, H. Zhu, W. Wang. Chin. Opt. Lett., 13, 081301(2015).

[8] M. Smit, X. Leijtens, H. Ambrosius, E. Bente, J. van der Tol, B. Smalbrugge, T. de Vries, E.-J. Geluk, J. Bolk, R. van Veldhoven, L. Augustin, P. Thijs, D. D’Agostino, H. Rabbani, K. Lawniczuk, S. Stopinski, S. Tahvili, A. Corradi, E. Kleijn, D. Dzibrou, M. Felicetti, E. Bitincka, V. Moskalenko, J. Zhao, R. Santos, G. Gilardi, W. Yao, K. Williams, P. Stabile, P. Kuindersma, J. Pello, S. Bhat, Y. Jiao, D. Heiss, G. Roelkens, M. Wale, P. Firth, F. Soares, N. Grote, M. Schell, H. Debregeas, M. Achouche, J.-L. Gentner, A. Bakker, T. Korthorst, D. Gallagher, A. Dabbs, A. Melloni, F. Morichetti, D. Melati, A. Wonfor, R. Penty, R. Broeke, B. Musk, D. Robbins. Semicond. Sci. Technol., 29, 083001(2014).

[9] T. Ishibashi, S. Kodama, N. Shimizu, T. Furuta. Jpn. J. Appl. Phys., 36, 6263(1997).

[10] D.-H. Jun, J.-H. Jang, I. Adesida, J.-I. Song. Jpn. J. Appl. Phys., 45, 3475(2006).

[11] Z. Li, H.-P. Pan, H. Chen, A. Beling, J. C. Campbell. IEEE J. Quantum Electron., 46, 626(2010).

[12] T. Shi, B. Xiong, C. Sun, Y. Luo. Chin. Opt. Lett., 9, 082302(2011).

[13]

[14] H. Ito, S. Kodama, Y. Muramoto, T. Furuta, T. Nagatsuma, T. Ishibashi. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 10, 709(2004).

[15] S. Adachi. Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP(1992).