[1] N. P. Zaitseva, J. J. De Yoreo, M. R. Dehaven, R. L. Vital, K. E. Montgomery, M. Richardson, L. J. Atherton. J. Cryst. Growth, 180, 255(1997).
[2] N. Zaitseva, L. Carman. Prog. Cryst. Growth Charact. Mater., 43, 1(2001).
[3] J. J. De Yoreo, A. K. Burnham, P. K. Whitman. Int. Mater. Rev., 47, 113(2002).
[4] W. Han, F. Wang, L.-D. Zhou, F.-Q. Li, B. Feng, H.-B. Cao, J.-P. Zhao, S. Li, K.-X. Zheng, X.-F. Wei, M.-L. Gong, W.-G. Zheng. Opt. Express, 21, 30481(2013).
[5] S. G. Demos, R. N. Raman, S. T. Yang, R. A. Negres, K. I. Schaffers, M. A. Henesian. Opt. Express, 19, 21050(2011).
[6] W. Han, Y. Xiang, F.-Q. Li, F. Wang, L.-D. Zhou, J.-P. Zhao, B. Feng, K.-X. Zheng, Q.-H. Zhu, X.-F. Wei, W.-G. Zheng, M.-L. Gong. Appl. Opt., 54, 4167(2015).
[7] A. M. Vakulenko, N. G. Kryukov, Yu A. Matveets, V. I. Panteleev, Yu V. Senatskii, A. I. Fedosimov, V. T. Yurov. Soviet J. Quantum Electronics, 4, 76(1974).
[8] L.-S. Zhang, G.-W. Yu, H.-L. Zhou, L. Li, M.-X. Xu, B.-A. Liu, S.-H. Ji, L.-L. Zhu, F.-F. Liu, X. Sun. J. Cryst. Growth, 401, 190(2014).
[9] P. A. Baisden, L. J. Atherton, R. A. Hawley, T. A. Land, J. A. Menapace, P. E. Miller, M. J. Runkel, M. L. Spaeth, C. J. Stolz, T. I. Suratwala, P. J. Wegner, L. L. Wong. Fusion Sci. Technol., 69, 295(2017).
[10] S.-L. Wang, Z.-S. Gao, Y.-J. Fu, A.-D. Duan, X. Sun, C.-S. Fang, X.-Q. Wang. Cryst. Res. Technol., 38, 941(2003).
[11] M.-H. Jiang, C.-S. Fang, X.-L. Yu, M. Wang, T.-H. Zheng, Z.-S. Gao. J. Cryst. Growth, 53, 283(1981).
[12] N. P. Zaitseva, L. N. Rashkovich, S. V. Bogatyreva. J. Cryst. Growth, 148, 276(1995).
[13] L.-S. Zhang, F. Zhang, M.-X. Xu, Z.-P. Wang, X. Sun. RSC Adv., 5, 74858(2015).
[14] D.-W. Fu, W. Zhang, R.-G. Xiong. Cryst. Growth Des., 8, 3461(2008).
[15] S. G. Demos, P. DeMange, R. A. Negres, M. D. Feit. Opt. Express, 18, 13788(2010).
[16] M. A. Yakshin, D. W. Kim, Y. S. Kim, Y. Y. Broslavets, O. E. Sidoryuk, S. Goldstein. Laser Phys., 7, 941(1997).
[17] G. M. Loiacono, J. F. Balascio, W. Osborne. Appl. Phys. Lett., 24, 455(1974).
[18] T. Huser, C. W. Hollars, W. J. Siekhaus, J. J. De Yoreo, T. I. Suratwala, T. A. Land. Appl. Spectrosc., 58, 349(2004).
[19] J. Leroudier, J. Zaccaro, J. Debray, P. Segonds, A. Ibanez. Cryst. Growth Des., 13, 3613(2013).
[20] G.-H. Li, G.-B. Su, X.-X. Zhuang, Z.-D. Li, Y.-P. He. Opt. Mater., 29, 220(2006).
[21] F.-F. Liu, M.-X. Xu, B.-A. Liu, X.-P. Chen, L. Xie, Y.-H. Xia, C.-W. Wen, L.-S. Zhang, X. Ju, G.-G. Sun, X. Sun. Opt. Mater. Express, 6, 2221(2016).
[22] X.-Y. Xie, H.-J. Qi, B. Wang, H. Wang, D.-Y. Chen, J.-D. Shao. J. Cryst. Growth, 487, 45(2018).
[23] D.-T. Cai, Y.-F. Lian, X.-X. Chai, L.-S. Zhang, L.-M. Yang, M.-X. Xu. Cryst. Eng. Comm., 20, 7357(2018).
[24] M.-X. Xu, X. Sun, Z.-P. Wang, X.-F. Cheng, S.-T. Sun, L.-L. Ji, Y.-A. Zhao, B.-A. Liu, H. Gao, X.-G. Xu. Cryst. Res. Technol., 45, 763(2010).
[25] X.-D. Wang, B.-T. Tian, Y.-Y. Niu, G.-M. Wu, B. Zhou, J. Shen. Rare Metal Mat. Eng., 45, 370(2016).