[1] Y. Li, T. B. Mayank, E. L. Kenneth, A. F. Eugene. J. Cryst. Growth, 324, 82(2011).

[2] S. Liu, L. Dong, B. Zhang, J. He, Z. Wang, J. Ning, R. Wang, X. Liu. Chin. Opt. Lett., 12, 031402(2014).

[3] K. F. Yarn, W. C. Chien, C. L. Lin, C. I. Liao. Act. Passive Electron. Compon., 26, 71(2003).

[4] Z. Xiong, Q. Wang, Z. G. Jia, Y. Q. Huang, X. M. Ren. Proc. SPIE, 8555, 85550Y(2012).

[5] Y. M. Kim, M. Dahlstrom, S. Lee, M. J. Rodwell, A. C. Gossard. Solid State Electron., 46, 1541(2002).

[6] J. H. Jang, G. Cueva, D. C. Dumka, W. E. Hoke, P. J. Lemonias, I. Adesida. IEEE Photon., 13, 1097(2001).

[7] K. Radhakrishna, K. Yuan, W. Hong. J. Cryst. Growth, 261, 16(2004).

[8] A. Ren, X. M. Ren, Q. Wang. Microelectron. J., 37, 700(2006).

[9] J. P. Hirth, X. X. Feng. J. Appl. Phys., 67, 3343(1990).

[10] Z. Griffith, Y. M. Kim, M. Dahlstrom. IEEE Electron Device Lett., 25, 675(2004).

[11] T. Kimura, T. Kimura, E. Ishimura, F. Uesugi, M. Tsugami, K. Mizuguchi, T. Murotam. J. Cryst. Growth, 107, 827(1991).

[12] D. Xiong, X. Ren, Q. Wang, J. Zhou, W. Shu, J. Lü, S. Cai, H. Huang, Y. Huang. Chin. Opt. Lett., 5, 422(2007).

[13] L. J. Sun, H. Huang, J. H. Lü, S. W. Cai, W. W. Luo, Q. Wang, Y. Q. Huang, X. M. Ren. Semicond. Technol., 134, 442(2009).

[14] X. F. Duan, Y. Q. Huang, Y. F. Shang, J. Wang, X. M. Ren. Opt. Lett., 39, 2447(2014).

[15] O. Yoshitaka, A. Chikara, I. Yoshio, T. Hirokazu, K. Takashi. IEEE J. Quantum Electron., 34, 1904(1998).

[16] J. S. Esa, P. Janne, S. Alexei, M. Alexandru, C. Andrei, K. Eli, G. O. Oleg. Opt. Lett., 34, 3139(2009).

[17] V. M. Ustinov, A. E. Zhukov. Semicond. Sci. Technol., 15, R41(2000).

[18] S. R. Bank, H. P. Bse, H. B. Yuen, L. L. Goddard, M. A. Wistey, T. Sarmiento, J. S. Harris. Proceedings of OFC, OThN6(2006).

[19] Z. C. Niu, S. Y. Zhang, H. Q. Ni, D. H. Wu, H. Zhao, H. L. Peng, Y. Q. Xu, S. Y. Li, Z. H. He, Z. W. Ren, Q. Han, X. H. Yang, Y. Du, R. H. Wu. Appl. Phys. Lett., 87, 231121(2005).

[20] L. Y. Karachinsky, T. Kettler, I. I. Novikov, Y. M. Shernyakov, N. Y. Gordeev, M. V. Maximov, N. V. Kryzhanovskaya, A. E. Zhukov, E. S. Semenova, A. P. Vasil’ev, V. M. Ustinov, G. Fio, M. Kuntz, A. Lochmann, O. Schulz, L. Reissmann, K. Posilovic, A. R. Kovsh, S. S. Mikhrin, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, D. Bimberg. Semicond. Sic. Technol., 21, 691(2006).

[21] Z. Mi, P. Bhattacharya. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron., 14, 1171(2008).

[22] I. Tångring, H. Q. Ni, B. P. Wu, D. H. Wu, Y. H. Xiong, S. S. Huang, Z. C. Niu, S. M. Wang, Z. H. Lai, A. Larsson. Appl. Phys. Lett., 91, 221101(2007).

[23] H. Yu, J. Pan, Y. Shao, B. Wang, D. Zhou, W. Wang. Chin. Opt. Lett., 11, 031404(2013).