Epitaxial growth of low dislocation Ge thin films on Si (001) substrates using a Si-Ge intermediate layer

[1] P. R. Bandaru, S. Sahni, E. Yablonovitch, J. Liu, H. Jun Kim, and Y. H. Xie, Mater. Sci. and Eng. B 113, 79 (2004).

[2] J. Oh, S. K. Banerjee, and J. C. Campbell, IEEE Photon. Tech. Lett. 16, 581 (2004).

[3] J. L. Liu, S. Tong, Y. H. Luo, J. Wan, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 79, 3431 (2001).

[4] D. J. Paul, Adv. Mater. 11, 191 (1999).

[5] E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y. J. Mii, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).

[6] M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 72, 1718 (1998).

[7] J. L. Liu, S. Tong, Y. H. Luo, J. Wan, and K. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 79, 3431 (2001).

[8] M. Copel, M. C. Reuter, E. Kaxiras, and R. M. Tromp, Phys. Rev. Lett. 63, 632 (1989).

[9] M. I. Larsson, W. Ni, K. Joelsson, and G. V. Hansson, Appl. Phys. Lett. 65, 1409 (1994).

[10] J. H. Li, C. S. Peng, Y. Wu, D. Y. Dai, J. M. Zhou, and Z. H. Mai, Appl. Phys. Lett. 71, 3132 (1997).

[11] Y. H. Luo, J.Wan, R. L. Forrest, J. L. Liu, M. S. Goorsky, and K. L. Wang, J. Appl. Phys. 89, 8279 (2001).

[12] M. Bauer, M. Oehme, K. Lyutovich, and E. Kasper, Thin Solid Films 336, 104 (1998).

[13] T. H. Loh, H. S. Nguyen, C. H. Tung, A. D. Trigg, G. Q. Lo, N. Balasubramanian, and D. L. Kwong, Appl. Phys. Lett. 90, 092108 (2007).

[14] Z. Zhou, C. Li, H. Lai, S. Chen, and J. Yu, J. Cryst. Growth 310, 2508 (2008).

[15] Z. Zhou, Z. Cai, C. Li, H. Lai, S. Chen, and J. Yu, Appl. Surf. Sci. 255, 2660 (2008).

[16] S. W. Lee, P. S. Chen, M. Tsai, C. T. Chia, C. W. Liu, and L. J. Chen, Thin Solid Films 447-448, 302 (2004).

[17] L. Souriau, T. Atanasova, V. Terzieva, A. Moussa, M. Caymax, R. Loo, M. Meuris, and W. Vandervorst, J. Electrochem. Soc. 155, 9 (2008).

[18] C. Zhang, H. Ye, L. Zhang, Y. R. Huangfu, and X. Liu, Acta Phys. Sin. (in Chinese) 58, 11 (2009).

Data from CrossRef