[1] D. L. Hiffaker, J. Shin, H. Deng, C. C. Lin, D. G. Deppe, and B. G. Streetman, Appl. Phys. Lett. 65, 2642 (1994).

[2] R. P. Schneider, Jr. and J. A. Lott, Appl. Phys. Lett. 63, 917 (1993).

[3] I. Burgaftman, J. R. Meyer, and L. R. Ram-Mohan, IEEE J. Quantum Electron. 34, 147 (1998).

[4] Koeth, R. Dietrich, and A. Forchel, Appl. Phys. Lett. 72, 1638 (1998).

[5] P. Schnitzer, M. Grabherr, R. Jager, F. Mederer, R. Michalzik, D. Wiedenmann, and K. J. Ebeling, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 767 (1999).

[6] H. K. Shin, I. Kim, E. J. Kim, J. H. Kim, E. K. Lee, M. K. Lee, J. K. Mum, C. S. Park, and Y. S. I, Jpn. J. Appl. Phys. 35, 506 (1996).

[7] J. C. Dyment, Appl. Phys. Lett. 10, 84 (1967).

[8] J. H. Marsh, Semiconduct. Sci. Technol. 8, 1136 (1993).

[9] S. Yuan, Y. Kim, C. Jagadish, P. T. Burke, M. Gal, J. Zou, D. Q. Cai, D. J. H. Cockayne, and R. M. Cohen, Appl. Phys. Lett. 70, 1269 (1997).

[10] C. C. Largent, M. J. Grove, D. A. Hudson, P. S. Zory, and D. P. Bour, Solid-State Electron. 38, 1893 (1995).

[11] H. Hasegawa and H. L. Hartnagel, J. Electrochem. Soc. 123, 713 (1976).