[1] X. Du, B. Chang, Y. Qian, and P. Gao, Chin. Opt. Lett. 9, 010401 (2011).
[2] T. Nomura, H. Kambayashi, M. Masuda, S. Ishii, N. Ikeda, J. Lee, and S. Yoshida, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 2908 (2006).
[3] W. Saito, Y. Takada, M. Kuraguchi, K. Tsuda, and I. Omura, IEEE Tran. Electron Dev. 53, 356 (2006).
[4] J. M. wang, K. F. Lee, and H. L. wang, J. Phys. Chem. Solids 69, 752 (2008).
[5] M. S. Shur, R. Gaska, and A. Bykhovski, Solid State Electron. 43, 1451 (1999).
[6] D. Walker, A. Saxler, P. Kung, X. Zhang, M. Hamilton, J. Diaz, and M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 72, 3303 (1998).
[7] J. Q. Zhang, Y. T. Yang, C. C. Chai, Y. J. Li, and H. J. Jia, J. Semicond. 29, 2187 (2008).
[8] C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, G. C. Chi, J. Y. Chi, C. A. Chang, J. K. Sheu, and J. F. Chen, IEEE Photon. Technol. Lett. 13, 848 (2001).
[9] I. Ferguson, C. A. Tran, R. F. Karlicek Jr, Z. C. Feng, R. Stall, S. Liang, Y. Lu, and C. Joseph, Mater. Sci. Eng. B-adv. 50, 311 (1997).
[10] J. Li, M. Zhao, X. F. Wang, Phys. B 405, 996 (2010).
[11] T. K. Ko, S. J. Chang, Y. K. Su, M. L. Lee, and C. S. Chang, J. Cryst. Growth 283, 68 (2005).
[12] P. C. Chang, C. H. Chen, S. J. Chang, Y. K. Su, C. L. Yu, P. C. Chen, and C. H. Wang, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).
[13] M. C¨okkayas, S. Butun, T. Tut, N. Biyikli, and E. Ozbay, Photon. Nanostruct. 5, 53 (2007).
[14] S. S. Liu, P. W. Li, W. H. Lan, and Y. C. Cheng, Mater. Sci. Eng. B-adv. 126, 33 (2006).
[15] N. Biyikli, I. Kimukin, O. Aytur, and E. Ozbay, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 1718 (2004).
[16] A. Asgari, E. Ahmadi, and M. Kalafi, Microelectron. J. 40, 104 (2009).
[17] G. Parish, M. Hansen, B. Moran, S. Keller, S. P. Den-Baars, and U. K. Mishra, Phys. Stat. Sol. A 188, 297 (2001).
[18] S. V. Averine, P. I. Kuznetzov, V. A. Zhitov, and N. V. Alkeev, Solid State Electron. 52, 618 (2008).
[19] S. Wang, T. Li, J. M. Reifsnider, B. Yang, C. Collins, A. L. Holmes, and J. C. Campbell, IEEE J. Quantum Electron. 36, 1262 (2000).
[20] C. K. Wang, S. J. Chang, Y. K. Su, Y. Z. Chiou, C. S. Chang, T. K. Lin, H. L. Liu, and J. J. Tang, Semicond. Sci. Technol. 20, 485 (2005).
[21] F. Xie, H. Lu, D. J. Chen, P. Han, R. Zhang, Y. D. Zheng, L. Li, W. H. Jiang, and C. Chen, Electron. Lett. 47, 930 (2011).
[22] R. W. Chuang, C. L. Yu, S. J. Chang, P. C. Chang, J. C. Lin, and T. M. Kuan, J. Cryst. Growth 308, 252 (2007).
[23] X. L. Wang, C. M. Wang, G. X. Hu, H. L. Xiao, C. B. Fang, J. X. Wang, J. X. Ran, J. P. Li, J. M. Li, and Z. G. Wang, J. Cryst. Growth 298, 791 (2007).
[24] M. Mosca, J. Reverchon, N. Grandjean, and J. Duboz, IEEE J. Sel. Top. Quantum 10, 752 (2004).
[25] S. J. Chang, T. K. Ko, J. K. Sheu, S. C. Shei, W. C. Lai, Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, C. S. Chang, W. S. Chen, and C. F. Shen, Sensor. Actuat. A-phys. 135, 502 (2007).
[26] E. Munoz, E. Monroy, J. L. Pau, F. Calle, E. Calleja, F. Omnes, and P. Gibart, Phys. Stat. Solid. A 180, 293 (2000).
[27] Y. Z. Chiou, Y. C. Lin, and C. K. Wang, IEEE Electron. Dev. Lett. 28, 264 (2007).
