[1] C. -Z. Xin, P. Li, J. -P Xu, X. -S Zhang, D. -J. Li and L. Li, Journal of Optoelectronics·Laser 23, 1913 (2012). (in Chinese)

[2] C. -Y. Luo, X. -S Zhang, J. -P. Xu, Y. -Y. Wu, X. -P. Niu, K. -X. Li, L. Ge and L. Li, Journal of Optoelectronics ·Laser 23, 1775 (2012). (in Chinese)

[3] B. James, Nat. Photon. 6, 343 (2012).

[4] W. Zhang, X. H. Zeng, J. F. Lu and H. T. Chen, Mter. Res. Bull. 48, 3843 (2013).

[5] I. Kunio, O. Toshikazu, K. Yoichi, F. Shizuo and F. Shigeo, J. Cryst. Growth 138, 28 (1994).

[6] M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).

[7] A. Abounadi, M. D. Blasio, D. Bouchara, J. Calas, M. Averous, O. Briot, N. Briot, T. Cloitre, R. L. Aulombard and B. Gil, Phys. Rev. B 50, 11677 (1994).

[8] J. Vidal, O. de Melo, O. Vigil, N. Lopez, G. Contreras- Puente and O. Zelaya-Angel, Thin Solid Films 419, 118 (2002).

[9] D. J. Chadi, Jpn. J. Appl. Phys. 38, 2617 (1999).

[10] G. D. Yuan, W. J. Zhang, W. F. Zhang, X. Fan, I. Bello, C. S. Lee and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett. 93, 213102 (2008).

[11] Q. A. Peng, J. S. Jie, C. Xie, L. Wang, X. W. Zhang, D. Wu and Y. Q. Yu, Appl. Phys. Lett. 98, 123117 (2011).

[12] T. V. Butkhuzi, T. G. Tchelidze, E. G. Chikoidze and N. P. Kekelidze, Phys. Status Sol. (B) 229, 365 (2002).

[13] T. Yamamotoa, S. Kishimotob and S. Iida, Physica B 308–310, 916 (2001).

[14] S. Kohikia, T. Suzuka, S. Kohikia, T. Suzuka, T. Yamamoto and S. Kishimoto, J. Appl. Phys. 91, 760 (2002).

[15] S. Kishimoto, A. Kato, A. Naito, Y. Sakamoto and S. Iida, Phys. Status. Sol. (B) 229, 391 (2002).

[16] X. S. Fang, T. Y Zhai, U. K. Gautamb, L. Li, L. M. Wu, Y. Bando and D. Golberg, Prog. Mater. Sci. 56, 175 (2011).

[17] J. Tauc, Amorphous and Liquid Semiconductors, Plenum, London, 1974.

[18] E. A. David and N. F. Mott, Phil. Mag. 22, 903 (1970).

[19] Y. Q. Gai, J. B. Li, B. Yao and J. B. Xia, J. Appl. Phys. 105, 113704 (2009).