[1] M. A. Haase, J. Qiu, J. M. Depuydt, and H. Cheng, Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991).
[2] S. Taniguchi, T. Hino, S. Itoh, K. Nakano, N. Nakayama, A. Ishibashi, and M. Ikeda, Electron. Lett. 32, 552 (1996).
[3] T. Mishima and K. Takahashi, J. Appl. Phys. 54, 2153 (1983).
[4] M. Yamaguchi, A. Yamamoto, and M. Kondo, J. Appl. Phys. 48, 196 (1977).
[5] A. Ishizaka and Y. Shiraki, J. Electrochem. Soc. 133, 666 (1986).
[6] B. S. Li, Y. C. Liu, Z. S. Chu, D. Z. Shen, Y. M. Lu, J. Y. Zhang, and X. W. Fan, J. Appl. Phys. 91, 501 (2002).
[7] L. T. Romano, R. D. Bringans, X. Zhou, and P. Kirk, Phys. Rev. B 52, 11201 (1995).
[8] R. Hill, J. Phys. C 7, 521 (1974).
[9] H. J. Lozykowski and V. K. Shastri, J. Appl. Phys. 69, 3235 (1991).
[10] W. A. Harrison, J. Vac. Sci. Technol. 14, 1016 (1977).
[11] A. P. Alivisatos, T. D. Harris, P. J. Carroll, M. L. Steigerwald, and L. E. Brus, J. Chem. Phys. 90, 3463 (1989).
[12] M. C. Klein, F. Hache, D. Richard, and C. Flytzanis, Phys. Rev. B 42, 11123 (1990).
[13] R. P. Wang, G. W. Zhou, Y. L. Liu, S. H. Pan, H. Z. Zhang, D. P. Yu, and Z. Zhang, Phys. Rev. B 61, 16827 (2000).
[14] L. K. Vodop’yanov, N. N. Mel’nik, and Y. G. Sadof’ev, Semiconductors 33, 286 (1999).
[15] S. Nakashima, A. Fujii, K. Mizoguchi, A. Mitsuishi, and K. Yoneda, Jpn. J. Appl. Phys. 27, 1327 (1988).
