[1] A. E. Willner, L. Zhang, Y. Yue, and X. Wu, Chin. Opt. Lett. 08, 909 (2010).

[2] L. T. Canham, Appl. Phys. Lett. 57, 1046 (1990).

[3] Y. Kanemitsu, K. Suzuki, S. Kyushin, and H. Matsumoto, Phys. Rev. B 51, 13103 (1995).

[4] H. Khatun, S. S. Mou, A. A. Mortuza, and A. B. M. Ismail, Chin. Opt. Lett. 8, 306 (2010).

[5] Z. H. Lu, D. J. Lockwood, and J. M. Baribeau, Solid Store Electron. 40, 197 (1996).

[6] T. Komoda, J. Kelly, E. Cristiano, A. Nejirn, P. L. F. Hemment, K. P. Homewood, R. Gwilliam, J. E. Mynard, and R. J. Scal, Nucl. Inst. Meth. B 96, 387 (1995).

[7] G. Franzμo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, and A. Carnera, Appl. Phys. Lett. 64, 2235 (1994).

[8] T. D. Chen, A. Agarwal, L. M. Giovane, J. S. Foresi, L. Liao, D. R. Lim, M. T. Morse, E. J. Ouellette III, S. H. Ahn, X. Duan, J. Michel, and L. C. Kimerling, Proc. SPIE 3279, 136 (1998).

[9] H. Presting, H. Kibbel, M. Jaros, R. M. Turton, U. Menczigar, G. Abstreiter, and H. G. Grimmeiss, Semicond. Sci. Tech. 7, 148 (1992).

[10] M. A. Green, J. Zhao, A. Wang, P. J. Reece, and M. Gal, Nature 412, 805 (2001).

[11] D. Leong, M. Harry, K. J. Resson, and K. P. Homewood, Nature 387, 686 (1997).

[12] M. Xie, Z. Yuan, B. Qian, and L. Pavesi, Chin. Opt. Lett. 7, 319 (2009).

[13] W. L. Ng, M. A. Lourenco, R. M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, and K. P. Homewood, Nature 410, 192 (2001).

[14] H. Rong, A. Liu, R. Jones, O. Cohen, D. Hak, R. Nicolaescu, A. Fang, and M. Paniccia, Nature 433, 292 (2005).

[15] L. Pavesi, Materials Today 8, 18 (2005).

[16] R. Newman, Phys. Rev. 100, 700 (1955).

[17] L. W. Snyman, A. Biber, H. Aharoni, M. Plessis, B. D. Patterson, and P. Seitz, in Proceedings of Workshop on High Performance Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications 340 (1997).

[18] L. W. Snyman, H. Aharoni, and M. Plessis, IEEE Photon. Technol. Lett. 17, 2041 (2005).

[19] H. Aaroni and M. Plessis, IEEE J. Quantum Electron. 40, 557 (2004).

[20] L. W. Snyman, M. Plessis, and H. Aharoni, Jpn. J. Appl. Phys. 46, 2474 (2007).

[21] L. W. Snyman, K. A. Ogudo, M. Plessis, and G. Udahemuka, Proc. SPIE 7208, 72080C (2009).

[22] J. C. Tsang, J. A. Kash, and D. P. Vallett, IBM J. Res. Develop. 44, 583 (2000).

[23] L. W. Snyman, H. Aharoni, A. Biber, A. Bogalecki, L. Canning, M. Plessis, and P. Maree, Proc. SPIE 3953, 20 (2000).

[24] S. Sayil, in Proceedings of IEEE Region 5 Technical Conference 42 (2007).

[25] H. Chen, H. Liu, J. Liu, M. Gu, and B. Huang, Chin. Phys. Lett. 24, 265 (2007).

[26] B. Huang, X. Zhang, Z. Dong, W. Wang, and H. Chen, in Proceedings of 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology 20 (2008).

[27] J. Bude, N. Sano, and A. Yoshii, Phys. Rev. B 45, 5848 (1992).

[28] J. Kramer, P. Seltz, E. F. Stelgmeler, H. Auderset, and B. Delley, Sensor. Actuator. Phys. 37-38, 521 (1993).

[29] C. W. Liu, S. T. Chang, W. T. Liu, M. Chen, and C. Lin, Appl. Phys. Lett. 77, 4347 (2000).

[30] M. Plessis, H. Aharoni, and L. W. Snyman, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 8, 1412 (2002).

[31] N. Akil, S. E. Kerns, D. V. Kerns, A. Hoffmann, and J. P. Charles, IEEE Trans. Electron Dev. 46, 1022 (1999).