[1] R. X. Li, Y. X. Leng, Z. Z. Xu. Phys., 44, 509(2015).
[2] T. Miyakoshi, K. A. Tanaka, A. E. Dangor, Y. Toyama, Y. Kitagawa. Nature, 412, 798(2001).
[3] A. Baltuska, T. Udem, M. Uiberacker, V. S. Yakovlev, R. Holzwarth. Nature, 421, 611(2003).
[4] A. H. Zewail. J. Phys. Chem. A, 104, 5660(2000).
[5] R. L. Kodama. Nature, 418, 933(2002).
[6] D. Strickland, G. Mourou. Opt. Commun., 56, 219(1985).
[7] J. L. Si, J. Xu, G. J. Zhao, G. Q. Zhou, H. J. Li, J. Y. Wang, P. Z. Deng. Chin. J. Lasers, 31, 381(2004).
[8] C. Stelian, G. Alombert-Goget, G. Sen, N. Barthalay, K. Lebbouet. Opt. Mater., 69, 73(2017).
[9] D. B. Joyce, F. Schmid. J. Cryst. Growth, 312, 1138(2009).
[10] Y. Z. Zhou. The TGT growth devices for high-temperature crystals(1988).
[16] C. Hernandez-Gomez, S. P. Blake, O. Chekhlov, R. J. Clarke, A. M. Dunne, M. Galimberti, S. Hancock, R. Heathcote, P. Holligan, A. Lyachev, P. Matousek, I. O. Musgrave, D. Neely, P. A. Norreys, I. Ross, Y. Tang, T. B. Winstone, B. E. Wyborn. J. Phys., 244, 032006(2010).
[17] P. Yan, L. Su, B. Y. Ding, Y. Yang, G. W. Zhang. Opto-Electron. Eng., 24, 46(1997).
[18] X. C. Zhang, J. L. Si, M. Xu, X. Y. Liang, Y. X. Chu. Chin. J. Lasers, 41, 0506001(2014).
[19] R. L. Aggarwal, A. Sanchez, M. M. Stuppi. J. Quantum Electron., 24, 1003(1988).