[1] S. D. Offsey, W. J. Schaff, L. F. Lester, L. F. Eastman, and S. K. McKernan, IEEE J. Quantum Electron. 27, 1455 (1991).

[2] P. J. A. Thijs, L. F. Tiemeijer, P. I. Kuindersma, J. J. M. Binsma, and T. V. Dongen, IEEE J. Quantum Electron. 27, 1426 (1991).

[3] C. Y. Lee, W. J. Jiang, and M. C. Wu, Solid-State Electronics 46, 1389 (2002)

[4] E. M. Pavelescu, T. Jouhti, and C. S. Peng, J. Crystal Growth 241, 31 (2002).

[5] B. I. Miller, U. Koren, M. G. Young, and M. D. Chien, Appl. Phys. Lett. 58, 1952 (1991).

[6] J. E. Cunningham, K. W. Goossen, M. Williams, and W. Y. Jan, Appl. Phys. Lett. 60, 727 (1992).

[7] G. Zhang and A. Ovtchnnikov, Appl. Phys. Lett. 62, 1644 (1993).

[8] C. S. Ma, L. J. Wang, and S. Y. Liu, Solid-state Electronics 44, 2123 (2000).

[9] J. E. Cunningham, K. Goossen, M. Williams, and W. Jan, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 949 (1992).

[10] J. M. Vandenberg, R. A. Hamm, M. B. Panish, and H. Temkin, J. Appl. Phys. 62, 1278 (1987).

[11] Y. P. Zeng, M. Y. Kong, X. L. Wang, S. R. Zhu, L. X. Li, and J. M. Li, J. Chin. Electr. Microsc. Soc. (in Chinese) 16, 381(1997).