[1] P. Prepelita, R. Medianu, B. Sbarcea, F. Garoi and M. Filipescu, Appl. Surf. Sci. 256, 1807 (2010).

[2] F. J. Liu, Z. F. Hu, J. Sun, Z. J. Li, H. Q. Huang, J. W. Zhao, X. Q. Zhang and Y. S. Wang, Solid State Electronics 68, 90 ( 2012).

[3] X. Q. Gu, L. P. Zhu, Z. Z. Ye, H. P. He, Y. Z. Zhang and B. H. Zhao, Thin Solid Films 517, 5134 (2009).

[4] Y. N. He, C. C. Zhu and J. W. Zhang, Microelectronics J. 35, 389 (2004).

[5] A. J. Petrella., H. Deng, N. K. Roberts and R. N. Lamb, Chem. Mater. 14, 4339 (2002).

[6] L. P. Dai., H. Deng , G. Chen and M. Wei., Mater. Lett. 61, 3539 (2007).

[7] D. C. Look, D. C. Reynolds, C. W. Litton, R. L. Jones, D. B. Eason and G. Cantwell, Appl. Phys. Lett. 81, 1830 (2002).

[8] T. Aoki, Y. Shimizu, A. Miyake, A. Nakamura, Y. Nakanishi and Y. Hatanaka, Phys. Status Solidi B 229, 911 (2002).

[9] E. Alves, N. Franco, N. P. Barradas, F. Munnik and T. Monteiro, J. Alloy Compound 479, 674 (2009).

[10] K. P. Bhuvana, J. Elanchezhiyan, N. Gopalakrishnan, B. C. Shin and T. Balasubramanian, J. Alloy Compound 478, 54 (2009).

[11] J. H. Lee, J. S. Lee, S. N. Cha, J. M. Kim, D. S. Seo, W. B. Im and J. P. Hong, Thin Solid Films 517, 3950 (2009).

[12] T. Koida, S. F. Chichibu, A. Uedono, T. Sota, A. Tsukazaki and M. Kawasaki, Appl. Phys. Lett. 84, 1079 (2004).

[13] Jesús Zú iga-Pérez and Vicente Mu oz-Sanjose, Phys. Rev. Lett. 95, 226105 (2005).

[14] B. Meyer and D. Marx, Phys. Rev. B 67, 035403 (2003).

[15] L. P. Dai, H. Deng, G. Chen and Y. Li, Vacuum 8, 969 (2007).

[16] L. P. Dai, H. Deng, J. J. Chen and M. Wei, Solid State Commun. 143, 378 (2007).

[17] L. P. Dai, H. Deng, G. Chen and J. J. Chen, Appl. Surf. Sci. 254, 1599 (2008).

[18] K. H. Bang, D. K. Hwang and M. C Jeong., Solid State Commun. 126, 623 (2003).

[19] C. Boemae, T. Monteiro, M. J. Soares, J. G. Guilherme and E. Alves, Physica B 308-310, 985 (2001).