Stable field emission ofion-sputtering-induced Si nanocone arrays

Shaolin Xue; Shuxian Wu; Ying Qiu; Ming Lu

doi:10.3788/col201311.111601

[1] G. Z. Yue, Q. Qiu, B. Gao, Y. Cheng, J. Zhang, H. Shimoda, S. Chang, J. P. Lu, and O. Zhou, Appl. Phys. Lett. 81, 355 (2002).

[2] H. Sugie, M. Tanemura, V. Filip, K. Lwata, K. Takahashi, and F. Okuyanma, Appl. Phys. Lett. 78, 2578 (2001).

[3] A. Haga, S. Senda, Y. Sakai, Y. Mizuta, S. Kita, and F. Okuyama, Appl. Phys. Lett. 84, 2208 (2004).

[4] Z. X. Lin and T. L. Guo, Optoelectron. Technol. 26, 1 (2006).

[5] J. F. Dai, X. W. Mu, X. T. Chen, J. H. Wang, and B. Fu, Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 44, 152 (2011).

[6] R. J. Zou, S. L. Xue, and D. Y. Li, Chin. Opt. Lett. 7, 130 (2009).

[7] W. A. Deheer, A. Chatelain, and D. Ugarte, Science 270, 1179 (1995).

[8] A. C. Dillon, K. M. Jones, T. A. Bekkedahl, C. H. Kiang, D. S. Bethune, and M. J. Heben, Nature 386, 377 (1997).

[9] N. G. Shang, F. Y. Meng, F. C. K. Au, Q. Li, C. S. Lee, I. Bello, and S. T. Lee, Adv. Mater. 14, 1308 (2002).

[10] F. Y. Meng, W. K. Wong, N. G. Shang, Q. Li, and I. Bello, Vacuum 66, 71 (2002).

[11] K. Sawada, M. Tabe, Y. Ishikawa, and M. Ishida, J. Vac. Sci. Technol. B 20, 787 (2002).

[12] H. C. Wu, H. Y. Tsai, H. T. Chiu, and C. Y. Lee, ACS Appl. Mater. Interfaces 2, 3285 (2010).

[13] J. Zhu, Z. Chen, X. Liu, J. Mu, Y. Gao, W. Han, and G. Jia, Chin. Opt. Lett. 10, 082301 (2012).

[14] Y. M. Chang, P. H. Kao, H. M. Tai, H. W. Wang, C. M. Lin, H. Y. Lee, and J. Y. Juang, Phys. Chem. Chem. Phys. 15, 10761 (2013).

[15] F. Zhao, G. A. Cheng, R. T. Zheng, D. D. Zhao, S. L. Wu, and J. H. Deng, Nanoscale Research Letters 6, 176 (2011).

[16] S. H. Yang and M. Yokoyama, Mater. Chem. Phys. 57, 173 (1998).

[17] Q. Wang, J. J. Li, Y. J. Ma, X. D. Bai, Z. L. Wang, P. Xu, C. Y. Shi, B. G. Quan, S. L. Yue, and C. Z. Gu, Nanotechnology 16, 2919 (2005).

[18] B. W. Han, J. S. Lee, and B. T. Ahn, IEEE Electron. Device Lett. 23, 10 (2002).

[19] J. Zhou, S. Facsko, M. Lu, and W. Moeller, J. Appl. Phys. 109, 104315 (2011).

[20] Y. Qiu, H. C. Hao, J. Zhou, and M. Lu, Opt. Express 20, 22087 (2012).

[21] R. H. Fowler and L. W. Nordheim, in Proceedings of the Royal Society of London-Series A: Containing Papers of a Mathematical and Physical 173 (1928).

[22] S. A. Ding, Z. J. Xu, B. Q. Li, and Y. F. Zhou, Chinese Journal of Semiconductors (in Chinese) 11, 906 (1990).

[23] H. S. Uh, B. G. Park, and J. D. Lee, IEEE Electron. Device Lett. 19, 167 (1998).

[24] J. T. Chen, J. Li, J. Yang, X. B. Yan, B. K. Tay, and Q. J. Xue, Appl. Phys. Lett. 99, 173104 (2011).

Data from CrossRef