[1] T. Sato, M. Mitsuhara, T. Watanabe, K. Kasaya, T. Takeshita, and Y. Kondo, IEEE J. Sel. Topics Quantum Electron. 13, 1079 (2007).
[2] R. Phelan, J. O’Carroll, D. Byrne, C. Herbert, J. Somers, and B. Kelly, IEEE Photon. Technol. Lett. 24, 652 (2012).
[3] A. V. Lyutetskii, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, N. V. Fetisova, A. Yu. Leshko, V. V. Shamakhov, A. Yu. Andreev, E. G. Golikova, Yu. A. Ryaboshtan, and I. S. Tarasov, Semiconductors 37, 1356(2003).
[4] Y. Zhang, Y. Zheng , C. Lin, A. Li, and S. Liu, Chin. Phys. Lett. 23, 2262 (2006).
[5] B. L. GelMont, Z. N. Sokolova, and I. N. Yassievich, Sov. Phys. Semicond. 16, 382 (1982).
[6] T. Le Barbu, B. Parvitte, V. Zeninari, I. Vinogradov, O. Korablev, and G. Durryet, Appl. Phys. B 82, 133 (2006).
[7] F. Bugge, G. Beister, G. Erbert, S. Gramlich, I. Rechenberg, H. Treptow, and M. Weyers, J. Cryst. Growth. 145, 907 (1994).
[8] N. F. Masse, A. R. Adams, and S. J. Sweeney, Appl. Phys. Lett. 90, 161113 (2007).
[9] N. K. Dutta and R. J. Nelson, Appl. Phys. Lett. 38, 407 (1981).
[10] A. Sugimura, IEEE J. Quantum Electron. 17, 627 (1981).
[11] G. Fuchs, C. Schiedel, A. Hangleiter, V. Harle, and F. Scholz, Appl. Phys. Lett. 62, 396 (1993).
