[1] Y. L. Liu, Y. C. Liu, H. Yang, W. B. Wang, J. G. Ma, J. Y. Zhang, Y. M. Lu, D. Z. Shen, and X. W. Fan, J. Phys. D: Appl. Phys. 36, 2705 (2003).

[2] Y. Bai, Y. Lan, H. Zhu, and Y. Mo, Acta Opt. Sin. (in Chinese) 25, 1712 (2005).

[3] Y. Yang, Q. Li, and X. Liu, Chin. Opt. Lett. 4, 297 (2006).

[4] P. Zhang, P. S. Kim, and T. K. Sham, J. Appl. Phys. 91, 6038 (2002).

[5] A. Gokarna, S. V. Bhoraskar, N. R. Pavaskar, and S. D. Sathaye, Phys. Stat. Sol. (a) 182, 175 (2000).

[6] T. Bai, J. Ye, J. Liu, S. Wang, X. Ye, and L. Wang, Chinese J. Lasers (in Chinese) 34, 992 (2007).

[7] S. Yano, R. Schroeder, H. Sakai, and B. Ullrich, Appl. Phys. Lett. 82, 2026 (2003).

[8] S. Velumani and J. A. Ascencio, Appl. Phys. A 79, 153 (2004).

[9] T. B. Nasrallah, M. Amlouk, J. C. Bernède, and S. Belgacem, Phys. Stat. Sol. (a) 201, 3070 (2004).

[10] M. McLaughlin, H. F. Sakeek, P. Maguire, W. G. Graham, J. Molloy, T. Morrow, S. Laverty, and J. Anderson, Appl. Phys. Lett. 63, 1865 (1993).

[11] C. Wang, Q. Li, L. Lü, L. Zhang, and H. Qi, Chin. Opt. Lett. 5, 546 (2007).

[12] N. K. Morozova, I. A. Karetnikov, V. G. Plotnichenko, E. M. Gavrishchuk, E. V. Yashina, and V. B. Ikonnikov, Semiconductors 38, 36 (2004).

[13] A. Gokarna, N. R. Pavaskar, S. D. Sathaye, V. Ganesan, and S. V. Bhoraskar, J. Appl. Phys. 92, 2118 (2002).