Improvement of InGaAs/GaAs vertical-cavity surface-emitting lasers by post-oxidation annealing

Changling Yan; Yun Deng; Peng Li; Xiaomao Song; Jianwei Shi

doi:10.3788/col201210.122501

[1] R. S. Geels, S. W. Corzine, and L. A. Coldren, IEEE J. Quantum Electron. 27, 1359 (1991).

[2] W. W. Chow, K. D. Choquette, M. H. Crawford, K. L. Lear, and G. R. Haldey, IEEE J. Quantum Electron. 33, 1810 (1997).

[3] R. Jager, M. Grabherr, C. Jung, R. Michalzik, G. Reiner, B. Weigl, and K. J. Ebeling, Electron. Lett. 33, 330 (1997).

[4] P. Westbergh, J. S. Gustavsson, B. Kogel, A. Haglund, A. Larsson, A. Mutig, A. Nadtochiy, D. Bimberg, and A. Joel, Electron. Lett. 46, 1014 (2010).

[5] A. Mutig, J. A. Lott, S. A. Blokhin, P. Wolf, P. Moser, W. Hofmann, A. M. Nadtochiy, A. Payusov, and D. Bimberg, Appl. Phys. Lett. 97, 151101 (2010).

[6] H. Q. Jia, H. Chen, W. C. Wang, W. X. Wang, W. Li, Q. Huang, and J. Zhou, Appl. Phys. Lett. 80, 974 (2002).

[7] H. Reese, Y. J. Chiu, and E. Hu, Appl. Phys. Lett. 73, 2624 (1998).

[8] M. Osinski, T. Svimonishvili, G. A. Smolyakov, V. A. Smagley, P. Mackowiak, and W. Nakwaski, IEEE Photonics Technol. Lett. 13, 687 (2001).

[9] N. C. Das, B. Gollsneider, P. Newman, and W. Chang, Appl. Phys. Lett. 81, 1600 (2002).

[10] P. D. Floyd and D. W. Treat, Appl. Phys. Lett. 70, 2493 (1997).

[11] N. C. Das and P. Newman, Solid-State Electron. 47, 1359 (2003).

[12] R. Todt, K. Dovidenko, A. Katsnelson, V. Tokranov, M. Yakimov, and S. Oktyabrsky, Mat. Res. Soc. Symp.

[13] Proc. 692, 561 (2001).

[14] Y. Sun, Y. Ning, T. Li, L. Qin, C. Yan, and L. Wang, J. Lumin. 122, 886 (2007).