Quadratic nonlinear response to 1.56-\mu m continuous wave laser in semi-insulating GaAs

Xiuhuan Liu; Yi Li; Zhanguo Chen; Mingli Li; Gang Jia; Yanjun Gao; Lixin Hou; Shuang Feng; Xinlu Li; Qi Wang

doi:10.3788/col201311.112501

[1] K. Fujita, H. Ohnishi, P. O. Vaccaro, and T. Watanabe, Microelectronics J. 28, 1019 (1997).

[2] H. K. Choi, G. W. Turner, T. H. Windhorn, and B. Y. Tsaur, IEEE Electron. Device Lett. EDL-7, 500 (1986).

[3] H. K. Choi, J. P. Mattia, G. W. Turner, and B. Y. Tsaur, IEEE Electron. Device Lett. 9, 512 (1988).

[4] H. Erlig, S. Wang, T. Azfar, A. Udupa, H. R. Fetterman, and D. C. Streit, Electron. Lett. 35, 173 (1999).

[5] Q. Han, Z. Niu, L. Peng, H. Ni, X. Yang, Y. Du, H. Zhao, R. Wu, and Q. Wang, Appl. Phys. Lett. 89, 131104 (2006).

[6] S. Zhang, L. Chen, and S. Zhuang, Chin. Opt. Lett. 10, 110401 (2012).

[7] J. Wang, S. Niu, T. Lan, C. Zhou, and Q. Sun, Science and Technology Innovation Herald 32, 75 (2010) .

[8] I. Vurgaftman, J. R. Meyer, N. Tansu, and L. J. Mawst, Appl. Phys. Lett. 83, 2742 (2003).

[9] N. Tansu, J. Yeh, and L. J. Mawst, IEEE J. Select. Topic. Quantum Electron. 9, 1220 (2003).

[10] N. Tansu, A. Quandt, M. Kanskar, W. Mulhearn, and L. J. Mawst, Appl. Phys. Lett. 83, 18 (2003).

[11] N. Tansu and L. J. Mawst, J. Appl. Phys. 97, 054502 (2005).

[12] J. W. Ferguson, P. Blood, P. M. Smowton, H. Bae, T. Sarmiento, J. S. Harris, N. Tansu, and L. J. Mawst, IEEE J. Quantum Electron. 47, 870 (2011).

[13] L. Xu, D. Patel, C. S. Menoni, J. Y. Yeh, L. J. Mawst, and N. Tansu, IEEE Photon. J. 4, 2262 (2012).

[14] J. Qi, M. S. Yeganeh, I. Koltover, A. G. Yodh, and W. M. Theis, Phys. Rev. Lett. 71, 633 (1993).

[15] T. A. Germer, K. W. Kolasi′nski, J. C. Stephenson, and L. J. Richer, Phys. Rev. B 55, 10694 (1997).

[16] K. A. Peterson and D. J. Kane, Opt. Lett. 26, 438 (2001).

[17] D. J. Kane and W. Wood, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 1669 (2006).

[18] X. Liu, Z. Chen, G. Jia, H. Wang, Y. Gao, and Y. Li, Chin. Phys. Lett. 28, 114202 (2011).

[19] D. A. Fletcher, K. B. Crozier, C. F. Quate, G. S. Kino, and K. E. Goodson, Appl. Phys. Lett. 77, 2109 (2000).

[20] A. L. Lin and R. H. Bube, J. Appl. Phys. 47, 1859 (1976).

[21] R. Zucca, J. Appl. Phys. 48, 1987 (1977).

[22] P. F. Lindquist, J. Appl. Phys. 48, 1262 (1977).

[23] K. Kitahara, N. Nakai, A. Shibatomi, and S. Ohkawa, Appl. Phys. Lett. 32, 259 (1978).

[24] E. Liu, B. Zhu, and J. Luo, Semiconductor Physics (Beijing Publishing House of Electronics Industry, Beijing, 2003).

[25] A. Behnam, J. Johnson, Y. Choi, L. Noriega, M. G. Ertosun, Z. Wu, A. G. Rinzler, P. Kapur, K. C. Saraswat,

[26] and A. Ural, J. Appl. Phys. 103, 114315 (2008).

[27] J. H. Park and H. Yu, Opt. Lett. 36, 1182 (2011).

[28] M. Hamada, T. Teraji, and T. Ito, J. Appl. Phys. 107, 063708 (2010).

[29] T. K. Liang, H. K. Tsang, I. E. Day, J. Drake, A. P. Knights, and M. Asghari, Appl. Phys. Lett. 81, 1323 (2002).

[30] B. Shi, X. Liu, Z. Chen, G. Jia, K. Cao, Y. Zhang, S. Wang, C. Ren, and J. Zhao, Appl. Phys. B 93, 873 (2008).